- 品牌/商標(biāo)：Filmetrics
- 企業(yè)類型：制造商
- 新舊程度：全新
- 原產(chǎn)地：美國(guó)
膜厚測(cè)量?jī)x的詳細(xì)介紹
通過(guò)Filmetrics膜厚測(cè)量?jī)x新反射式光譜測(cè)量技術(shù),多4層透明薄膜厚度、 n、k值及粗糙度能在數(shù)秒鐘測(cè)得。其應(yīng)用廣泛，例如 :
半導(dǎo)體工業(yè) : 光阻、氧化物、氮化物。
LCD工業(yè) : 間距 (cell gaps)，ito電極、polyimide 保護(hù)膜。
光電鍍膜應(yīng)用 : 硬化鍍膜、抗反射鍍膜、過(guò)濾片。
極易操作、快速、準(zhǔn)確、機(jī)身輕巧及價(jià)格便宜為其主要優(yōu)點(diǎn)，F(xiàn)ilmetrics提供四種不同型號(hào)以供選擇:
F20 : 這簡(jiǎn)單入門型號(hào)有三種不同波長(zhǎng)選擇(由220nm紫外線區(qū) 至1700nm近紅外線區(qū))為任意攜帶型。薄膜厚度范圍是 30a到100nm，為1a゜。
F30:這型號(hào)可安裝在任何真空鍍膜機(jī)腔體外的窗口。可實(shí)時(shí)監(jiān)控長(zhǎng)晶速度、實(shí)時(shí)提供膜厚、n、k值。并可切定某一波長(zhǎng)或固定測(cè)量時(shí)間間距。更可加裝至三個(gè)探頭，同時(shí)測(cè)量三個(gè)樣品，具紫外線區(qū)或標(biāo)準(zhǔn)波長(zhǎng)可供選擇。
F40:這型號(hào)安裝在任何顯微鏡外，可提供小5um光點(diǎn)(100倍放大倍數(shù))來(lái)測(cè)量微小樣品。
F50:這型號(hào)配備全自動(dòng)xy工作臺(tái)，由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通過(guò)快速掃瞄功能，可取得整片樣品厚度分布情況(mapping)。
負(fù)擔(dān)得起膜厚測(cè)量?jī)x系統(tǒng)F20
使用F20分光計(jì)系統(tǒng)可以簡(jiǎn)便快速的測(cè)量厚度和光學(xué)參數(shù)（n和k）。您可以在幾秒鐘內(nèi)通過(guò)薄膜上下面的反射比的頻譜分析得到厚度、折射率和消光系數(shù)。任何具備基本電腦技術(shù)的人都能在幾分鐘內(nèi)將整個(gè)桌面系統(tǒng)組裝起來(lái)。 F20包括所有測(cè)量需要的部件：分光計(jì)、光源、光纖導(dǎo)線、鏡頭集合和Windows下運(yùn)行的軟件。您需要的只是接上您的電腦。 膜層實(shí)例 幾乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能測(cè)。包括： sio2（二氧化硅） sinx（氮化硅） dlc（類金剛石碳） photoresist（光刻膠） polyer layers（高分子聚合物層） polymide（聚酰亞胺） polysilicon（多晶硅） amorphous silicon（非晶硅） 基底實(shí)例： 對(duì)于厚度測(cè)量，大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對(duì)于光學(xué)常數(shù)測(cè)量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進(jìn)行處理使之不能反射。 包括：
silicon（硅） glass（玻璃） aluminum（鋁） gaas（砷化鎵） steel（鋼） polycarbonate（聚碳酸脂） polymer films（高分子聚合物膜）
應(yīng)用
| 半導(dǎo)體制造 | 液晶顯示器 | 光學(xué)鍍膜 |
| photoresist光刻膠 oxides氧化物 nitrides氮化物 | cell gaps液晶間隙 polyimide聚酰亞胺 ito納米銦錫金屬氧化物 | hardness coatings硬鍍膜 anti-reflection coatings增透鍍膜 filters濾光 |
f20 使用仿真活動(dòng)來(lái)分析光譜反射率數(shù)據(jù)。 標(biāo)準(zhǔn)配置和規(guī)格
| F20-UV | F20 | F20-NIR | F20-EXR | |
| 只測(cè)試厚度 | 3nm ~ 70μm | 15nm ~ 70μm | 100nm ~ 250μm | 15nm ~ 250μm |
| 測(cè)試厚度和n&k值 | 50nm ~ 5μm | 100nm ~ 5μm | 300nm ~ 10μm | 100nm ~ 10μm |
| 波長(zhǎng)范圍 | 200-1100nm | 380-1100nm | 950-1700nm | 380-1700nm |
| 準(zhǔn)確度 | 大于 0.4％ 或 2nm | |||
| 1A | 2A | 1A | ||
| 穩(wěn)定性 | 0.7A | 1.2A | 0.7A | |
| 光斑大小 | 20μm至1.5mm可調(diào) | |||
| 樣品大小 | 1mm至300mm 及更大 | |||
| 探測(cè)器類型 | 1250-元素硅陣列 | 512-元素 砷化銦鎵 | 1000-元素 硅 & 512-砷化銦鎵陣列 | |
| 光源 | 鎢鹵素?zé)簦盁?/TD> | |||
| 電腦要求 |
60mb 硬盤空間 50mb 空閑內(nèi)存 usb接口 | |||
| 電源要求 | 100-240 vac, 50-60 hz, 0.3-0.1 a | |||
