儀器簡介：
在SUPRA™場發(fā)射掃描電子顯微鏡基礎上發(fā)展起來的ULTRA 場發(fā)射掃描電子顯微鏡是用于納米結(jié)構(gòu)分析的電子束成像儀器中的佼佼者，它接收效率高、可以超高分辨率成像。新開發(fā)的能量選擇式背散射電子探測器（EsB）和角度選擇式背散射電子探測器（AsB）則代表了的GEMINI®技術的新發(fā)展。
ULTRA綜合采用了用于形貌成像的GEMINI® In-len二次電子探測器、用于清晰的組分襯度的EsB探測器和用于采集晶體通道信息的AsB探測器。同步的實時成像與信號混合功能提供了的成像能力。
EsB探測器包含有一個過濾柵網(wǎng)，通過它可實現(xiàn)高分辨率背散射電子成像，讓以前無法看見的細節(jié)歷歷在目。
卡爾.蔡司獨特的荷電補償功能在使用所有探測器時，都可以分析非導電樣品
低加速電壓時的超高分辨率二次電子和背散射電子成像
用于在納米尺度上實現(xiàn)組分襯度成像的高效EsB / AsB探測器
控制的超大自動優(yōu)中心（eucentric）樣品臺
背散射電子和二次電子信號的實時成像與混合功能
抑制不導電樣品的荷電效應
用于X射線分析和背散射電子衍射（EBSD）應用的超穩(wěn)定束流模式
技術參數(shù)：
| ULTRA基本規(guī)格 | |
| 分辨率 | 1.0 nm @ 15 kV 1.7 nm @ 1 kV 4.0 nm @ 0.1 kV |
| 加速電壓 | 0.1 - 30 kV |
| 探測電流 | 4 pA - 20 nA |
| 放大倍數(shù) | 12 - 900,000x |
| 電子槍 | 熱場發(fā)射 |
| 標準探測器 | 鏡筒內(nèi)置式In-Lens二次電子探測器和EsB探測器，樣品室內(nèi)AsB探測器和ET探測器 |
| 圖象處理 | 7種積分和平均模式 |
| 系統(tǒng)控制 | 基于Windows® XP的SmartSEM™ |
ULTRA 55SE
成像與測量工作站
主要特點：
ULTRA——的成像工具
看得更多——超高分辨率的SE與BSE同步成像
看得更清——的成像能力
看得更細——納米尺度上進行組分分析的利器
簡便易用——全面集成的鏡筒內(nèi)置式背散射電子探測器（EsB）和二次電子探測器（In-lens detector）
遠離荷電——Ultra plus中安裝有荷電補償器，實現(xiàn)了不導電樣品的清晰、成像
