SGM100 攝譜儀 SGM100攝譜儀綜合介紹
       SGM100光柵攝譜儀采用交叉水平光路。由入射狹縫進入的復合光線經準直物鏡反射后成為平行光束照射到平面衍射光柵上，經光柵色散后的光線由聚焦物鏡聚焦于線陣CCD處，在線陣CCD處形成光譜面；內部設置了光線吸收阱，可抑制產生的雜。
        SGM100光柵攝譜儀由一整塊鋁材精加工而成，溫度形變或是震動所致的光譜漂移；SGM100針對電磁干擾(EMI)進行了優化，外界干擾影響測量的問題。
SGM100光柵攝譜儀可針對不同波段以及不同分辨率需求，更換平面衍射光柵和入射狹縫寬度,您在選購時注意根據應用選擇合適的配置，光柵參數請參照光柵選擇表。
SGM100光柵攝譜儀測量光束直進式設計，避免了由于采用分光鏡以及光纖所造成的光損失，從而導致CCD積分時間加長,進而導致整體測量速度降低的缺陷。
          SGM100光柵攝譜儀選用大容量存儲芯片，存儲校正系數等用于色度計算的各參數；使用的主控芯片（CPU），承擔內部計算強度及各色度參數功能，縮短了系統的測量時間，了工作效率。
    SGM100光柵攝譜儀即可采用單一U口供電，又可使用外部電源（電源適配器等）供電。同時為避免使用U供電時電壓輸出不穩，或者偏低，不能滿足CCD、運放及A/D等芯片的正常工作，電源部分使用升降壓芯片，電源輸入端輸出穩定值，使系統供電穩定，信號輸出水平穩定。
SGM100主要功能特點
◆ 采用交叉水平光路及光線吸收阱設計,抑制雜
◆ 一體式機身,溫度引起的形變，或是震動所致的光譜漂移
◆ 內置可更換中性濾光片,擴大測量范圍
◆ EMI優化設計,外界干擾
◆ 采用3648像素線陣CCD，具有高光譜分辨率
◆ 選用大容量存儲及的主控芯片,具有強大內處理能力
◆ 配不同附件適合多種測量應用

技術指標 焦距 100mm 通光孔徑 F/3 光路設計 交叉光路 光譜范圍 200~1100nm 靈敏度 20000 count/μW/ms 分辨率 0.05nm-18.8nm (依不同光柵選擇) 雜 <0.1% 探測器 CCD 線陣 3648像素 信噪比 300:1 AD轉換卡 16 bits； 積分時間 7ms-65535ms 接口接口 U2.0, 8Mbps I/O DB-15 接口,4路輸入和 4路輸出 電源 U  DC 5V

SGM100可以選擇的光柵列表

應用范圍	使用范圍(nm)	光譜范圍(nm)	光柵刻線(Lines/mm)	閃耀波長(nm)	訂購型號
UV	200-500	133	1800	250	6-180-H
UV	200-500	100	2400	250	6-240-H
UV	250-600	800	600	300	6-060-300
UV	250-600	200	1200	300	6-120-300
VIS/NIR	300-1100	800	300	500	6-030-500
VIS	360-1000	400	600	500	6-060-500
VIS	300-800	200	1200	500	6-120-500
VIS	300-700	133	1800	500	6-180-500
NIR	500-1100	800	300	750	6-030-750
NIR	500-1100	400	600	750	6-060-750
NIR	500-1100	200	1200	750	6-120-750
NIR	600-1100	800	300	1000	6-030-1000
NIR	600-1100	400	600	1000	6-060-1000
NIR	600-1100	200	1200	1000	6-120-1000

※取決于光柵的起始波長，波長越長，色散越大，所覆蓋的光譜范圍越窄。
※請注意：在可用的波長范圍內不是3648像素都會被使用。
SGM100 攝譜儀分辨率表（FWHM)  單位：nm

	狹縫寬度（μm）
光柵可選(g/mm)	10	25	50	100	200	500
300	0.144	0.252	0.504	1.008	2.016	5.040
600	0.072	0.126	0.252	0.504	1.008	2.520
1200	0.036	0.063	0.126	0.252	0.504	1.260
1800	0.024	0.042	0.084	0.168	0.336	0.840
2400	0.018	0.032	0.063	0.126	0.252	0.630
3600	0.012	0.021	0.042	0.084	0.168	0.420

※取決于光柵的起始波長，波長越長，色散越大，所覆蓋的光譜范圍越窄。

SGM100 攝譜儀的應用 SGM100攝譜儀廣泛應用于多個領域，如科研教學、顏色測量、環境監測、森林和農業的野外測量、食品的檢測、LED光學特性測量等。

SGM100 攝譜儀 SGM100攝譜儀綜合介紹
        SGM100光柵攝譜儀采用交叉水平光路。由入射狹縫進入的復合光線經準直物鏡反射后成為平行光束照射到平面衍射光柵上，經光柵色散后的光線由聚焦物鏡聚焦于線陣CCD處，在線陣CCD處形成光譜面；內部設置了光線吸收阱，可抑制產生的雜。
        SGM100光柵攝譜儀由一整塊鋁材精加工而成，溫度形變或是震動所致的光譜漂移；SGM100針對電磁干擾(EMI)進行了優化，外界干擾影響測量的問題。
SGM100光柵攝譜儀可針對不同波段以及不同分辨率需求，更換平面衍射光柵和入射狹縫寬度,您在選購時注意根據應用選擇合適的配置，光柵參數請參照光柵選擇表。
SGM100光柵攝譜儀測量光束直進式設計，避免了由于采用分光鏡以及光纖所造成的光損失，從而導致CCD積分時間加長,進而導致整體測量速度降低的缺陷。
          SGM100光柵攝譜儀選用大容量存儲芯片，存儲校正系數等用于色度計算的各參數；使用的主控芯片（CPU），承擔內部計算強度及各色度參數功能，縮短了系統的測量時間，了工作效率。
    SGM100光柵攝譜儀即可采用單一U口供電，又可使用外部電源（電源適配器等）供電。同時為避免使用U供電時電壓輸出不穩，或者偏低，不能滿足CCD、運放及A/D等芯片的正常工作，電源部分使用升降壓芯片，電源輸入端輸出穩定值，使系統供電穩定，信號輸出水平穩定。
SGM100主要功能特點
◆ 采用交叉水平光路及光線吸收阱設計,抑制雜
◆ 一體式機身,溫度引起的形變，或是震動所致的光譜漂移
◆ 內置可更換中性濾光片,擴大測量范圍
◆ EMI優化設計,外界干擾
◆ 采用3648像素線陣CCD，具有高光譜分辨率
◆ 選用大容量存儲及的主控芯片,具有強大內處理能力
◆ 配不同附件適合多種測量應用

技術指標 焦距 100mm 通光孔徑 F/3 光路設計 交叉光路 光譜范圍 200~1100nm 靈敏度 20000 count/μW/ms 分辨率 0.05nm-18.8nm (依不同光柵選擇) 雜 <0.1% 探測器 CCD 線陣 3648像素 信噪比 300:1 AD轉換卡 16 bits； 積分時間 7ms-65535ms 接口接口 U2.0, 8Mbps I/O DB-15 接口,4路輸入和 4路輸出 電源 U  DC 5V

SGM100可以選擇的光柵列表

應用范圍	使用范圍(nm)	光譜范圍(nm)	光柵刻線(Lines/mm)	閃耀波長(nm)	訂購型號
UV	200-500	133	1800	250	6-180-H
UV	200-500	100	2400	250	6-240-H
UV	250-600	800	600	300	6-060-300
UV	250-600	200	1200	300	6-120-300
VIS/NIR	300-1100	800	300	500	6-030-500
VIS	360-1000	400	600	500	6-060-500
VIS	300-800	200	1200	500	6-120-500
VIS	300-700	133	1800	500	6-180-500
NIR	500-1100	800	300	750	6-030-750
NIR	500-1100	400	600	750	6-060-750
NIR	500-1100	200	1200	750	6-120-750
NIR	600-1100	800	300	1000	6-030-1000
NIR	600-1100	400	600	1000	6-060-1000
NIR	600-1100	200	1200	1000	6-120-1000

※取決于光柵的起始波長，波長越長，色散越大，所覆蓋的光譜范圍越窄。
※請注意：在可用的波長范圍內不是3648像素都會被使用。
SGM100 攝譜儀分辨率表（FWHM)  單位：nm

	狹縫寬度（μm）
光柵可選(g/mm)	10	25	50	100	200	500
300	0.144	0.252	0.504	1.008	2.016	5.040
600	0.072	0.126	0.252	0.504	1.008	2.520
1200	0.036	0.063	0.126	0.252	0.504	1.260
1800	0.024	0.042	0.084	0.168	0.336	0.840
2400	0.018	0.032	0.063	0.126	0.252	0.630
3600	0.012	0.021	0.042	0.084	0.168	0.420

※取決于光柵的起始波長，波長越長，色散越大，所覆蓋的光譜范圍越窄。

SGM100 攝譜儀的應用 SGM100攝譜儀廣泛應用于多個領域，如科研教學、顏色測量、環境監測、森林和農業的野外測量、食品的檢測、LED光學特性測量等。