華科智源研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備，提供大功率IGBT到小功率管的測(cè)試， 包括動(dòng)態(tài)參數(shù)和靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，雪崩能量測(cè)試以及熱阻測(cè)試， 索取相關(guān)資料和報(bào)價(jià)請(qǐng)聯(lián)系陳先生18

ITC55100是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。ITC55100可以用來(lái)對(duì)功率MOSFET和IGBT的耐用性測(cè)試。 它還能測(cè)試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測(cè)量IGBT的正向和反向偏置。

itc55100雪崩能量測(cè)試儀能力： 
- 電流范圍：0.1A to 200A, 0.1A Steps 
- 電感范圍：0.01mH~159.99mH 
- 雪崩電壓：to 2500V 
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)： 
- MIL-STD-750F 2012 Method 3470

itc55100雪崩能量測(cè)試儀測(cè)試模式

單脈沖松開電感的開關(guān)（UIS）

單脈沖雪崩應(yīng)力（EAS）

重復(fù)性雪崩能量（EAR）

重復(fù)脈沖故障（RPF）

itc55100雪崩能量測(cè)試儀執(zhí)行的測(cè)試

連續(xù)性測(cè)試裝置的插座和/或接觸

DC零柵極偏置漏 - 源泄漏測(cè)試

- 前，后的雪崩

功能設(shè)備測(cè)試

雪崩測(cè)試

特點(diǎn)

單路/雙路設(shè)備測(cè)試

N溝道，P溝道，混合

全固態(tài)切換 - 無(wú)需繼電器

更快的測(cè)試

電流范圍：0.1A至200A，0.1A步驟

雪崩電壓至2500V

觸摸屏程序進(jìn)入/控制

波形捕獲/顯示

內(nèi)部測(cè)試程序存儲(chǔ)（20個(gè)文件）

高速電感充電，減少了測(cè)試時(shí)間

可編程漏電測(cè)試電壓

前置/后置雪崩泄漏測(cè)試

雪崩折疊測(cè)試

多功能測(cè)試處理器控制

15硬件排序箱

改進(jìn)的電壓/電流

通過(guò)Flash軟件更新

高速RS-485 PTNet接口

控制參數(shù)輸入密碼

使用所有ITC電感負(fù)載箱

接口與ITC55MUX4 ITC55 RSF

內(nèi)置自我測(cè)試

安全特性

測(cè)試時(shí)間

過(guò)量的泄漏關(guān)閉

外部安全鎖定

兩個(gè)并聯(lián)的手動(dòng)啟動(dòng)按鈕

不斷監(jiān)測(cè)設(shè)備的電流。 如果電流超過(guò)或未能達(dá)到測(cè)試終止

指定或計(jì)算時(shí)間的可編程水平。
華科智源研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備，提供大功率IGBT到小功率管的測(cè)試， 包括動(dòng)態(tài)參數(shù)和靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，雪崩能量測(cè)試廠家深圳市華科智源科技有限公司為您提供美國(guó)itc55100雪崩能量測(cè)試儀的詳細(xì)產(chǎn)品價(jià)格、產(chǎn)品圖片等產(chǎn)品介紹信息，您可以直接聯(lián)系廠家獲取美國(guó)itc55100雪崩能量測(cè)試儀的具體資料