詢(xún)價(jià)
- 企業(yè)類(lèi)型：貿(mào)易商
- 新舊程度：全新
- 原產(chǎn)地：臺(tái)灣
- 尺寸：100 x 58 x 151.7 mm / 3.94 x 2.28 x 5.97 inch
- 重量：. 1.25kg
Chroma 19501-K局部放電測(cè)試器內(nèi)建交流 耐電壓測(cè)試(Hipot Tes t)與局部放電(Partial D i s c h a rg e, P D)偵測(cè)功能于一單機(jī)，提供 交 流 電 壓 輸 出 0 . 1 k V ~ 1 0 k V ， 漏 電 流 測(cè) 量 范圍0 . 0 1 μ A ~3 0 0 μ A，局部放電偵測(cè)范圍 1pC~2000pC，針對(duì)高壓半導(dǎo)體組件與高絕緣材 料測(cè)試應(yīng)用所設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)。
Chroma 19501-K局部放電測(cè)試器產(chǎn)品設(shè)計(jì)符合IEC60270-1法規(guī)，針對(duì)高電壓試驗(yàn)技術(shù)中對(duì) 局部放電測(cè)試要求，采用窄頻濾波器 (Narrowband) 量測(cè)技術(shù)進(jìn)行PD放電量測(cè)量，并將量測(cè) 結(jié)果以直觀數(shù)值 (pC) 顯示在屏幕上讓用戶(hù)清 楚明了待測(cè)物測(cè)試判定結(jié)果。
產(chǎn)品設(shè)計(jì)上，除了符合IEC60270-1，同時(shí)也符 合光耦合器IEC60747-5-5與VDE0884法規(guī)要 求，內(nèi)建IEC60747-5-5法規(guī)之測(cè)試方法于儀器內(nèi) 部，滿(mǎn)足光耦合器產(chǎn)品生產(chǎn)測(cè)試需求，并提供使 用者便利的操作接口。 于生產(chǎn)在線執(zhí)行高壓測(cè)試時(shí)，如果待測(cè)物未能正 確及良好連接測(cè)試線，將導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果失敗甚至 發(fā)生漏測(cè)的風(fēng)險(xiǎn)，因此在測(cè)試前確保待測(cè)物與測(cè) 試線良好連接是非常重要的。
Chroma 19501-K獨(dú)特之高 壓接觸檢查功能 (High Voltage Contact Check : HVCC) 系利用Kelvin測(cè)試方法針對(duì)高絕緣能力之 組件，于高壓輸出時(shí)同步進(jìn)行接觸檢查，增加測(cè) 試有效性與生產(chǎn)效率。 在固體絕緣物中含有氣隙或雜質(zhì)混合在絕緣層 時(shí)，額定工作高壓狀態(tài)下，由于較高的電場(chǎng)強(qiáng)度 集中于氣隙而產(chǎn)生局部放電 (Partial Discharge), 持續(xù)性的局部放電會(huì)長(zhǎng)久劣化周遭絕緣材，而影 響電氣產(chǎn)品之長(zhǎng)久信賴(lài)性，而引起安全事故。
應(yīng)用于電源系統(tǒng)之安規(guī)組件，如光耦合器，因考量如果組件長(zhǎng)時(shí)間發(fā)生局部放電對(duì)于絕緣材料的 破壞，而發(fā)生絕緣失效的情況，進(jìn)而引發(fā)使用者 人身安全問(wèn)題；因此，在IEC60747-5-5法規(guī)中提 及，于生產(chǎn)過(guò)程中 (Routine test) 必須100%執(zhí)行 局部放電 (Partial discharge) 檢測(cè)，在絕緣電壓條件下不能超過(guò)5pC放電量，確保產(chǎn)品在正常工作環(huán)境中不會(huì)發(fā)生局部放電現(xiàn)象。 局部放電測(cè)試器主要針對(duì)高壓光耦合器、高壓繼 電器及高壓開(kāi)關(guān)等高絕緣耐受力之組件，提供高 壓的耐壓測(cè)試與局部放電偵測(cè)，確保產(chǎn)品質(zhì)量與提升產(chǎn)品可靠度。
Chroma 19501-K特點(diǎn)：
■ 單機(jī)內(nèi)建交流耐壓測(cè)試與局部放電偵測(cè)功能
■ 可程序交流耐壓輸出 0.1kVac~10kVac
■ 高精度及高分辨率電流表 0.01μA~300μA
■ 局部放電(PD)偵測(cè)范圍 1pC~2000pC
■ 高壓接觸檢查功能( HVCC)
■ 符合IEC60747-5-5、VDE0884、 IEC 60270法規(guī)測(cè)試要求
■ 內(nèi)建IEC60747-5-5測(cè)試方法
■ 量測(cè)與顯示單元分離式設(shè)計(jì)
■ 三段電壓測(cè)試功能
■ PD測(cè)量結(jié)果數(shù)值顯示 (pC)
■ PD不良發(fā)生次數(shù)判定設(shè)定 (1~10)
■ 多語(yǔ)系繁中/ 簡(jiǎn)中/英文操作接口
■ USB畫(huà)面擷取功能
■ 圖形化輔助編輯功能
■ 標(biāo)準(zhǔn)LAN、USB、RS232遠(yuǎn)程控制
局部放電 Partial Discharge 局部放電意指在絕緣物體中局部區(qū)域發(fā)生放電，且未形成兩電極間的固定通道放電即稱(chēng)為局部放電。
局部放電測(cè)試器對(duì)待測(cè)物施加一個(gè)特定條件下的電壓，測(cè)量其視在放電電荷量(PD)，除了驗(yàn)證其能否承受瞬間高電壓(Hipot Test)的能力，同時(shí)也 驗(yàn)證在額定工作電壓的絕緣完整性。
局部放電測(cè)試能夠偵測(cè)待測(cè)物是否存在異常氣隙，透過(guò)施加一個(gè)略高于組件額定工作電壓的局部放電電 荷測(cè)試，用以檢驗(yàn)電氣組件在正常工作電壓條件下之長(zhǎng)久可靠性，但于實(shí)際生產(chǎn)上絕緣材料內(nèi)部當(dāng)然不可能百分之百無(wú)氣隙存在于絕緣材料內(nèi)， 故在IEC60747-5-5光耦合器法規(guī)針對(duì)局部放電測(cè)試定義其放電電荷量不能大于5pC (qpd =5pC)。
