詢價
- 類型：磁控濺射儀
- 大電流：100mA
- 鍍膜面積：50mm
- 高真空度：≤ 4X10-2 mbar
- 定時器：數碼計時 0-999S
- 靶材尺寸：Ф50mm
原理：
在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數，使等子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。
參數：
?主機規格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）
?靶（上部電極）：金：50mm×0.1mm（D×H）
?靶材：Au（標配）
?樣品室：玻璃腔體160mm×120mm（D×H）
?靶材尺寸：Ф50mm
?高真空度：≤ 4X10-2 mbar
?大電流：100mA
?定時器：數碼計時 0-999S
?鍍膜面積：50mm
?微型真空氣閥：可連接φ3mm軟管
?可通入氣體：多種
?高電壓：-1600 DCV
?機械泵：標準配置2L/S（國產VRD-8）
?冷卻方式：冷水機（可根據實驗具體要求自備）
?速率：0--60nm/min
用途：
1、適用于電鏡實驗室的掃描電子顯微鏡（SEM）觀察前對樣品的噴金、噴鉑。
2、非導體材料實驗電極制作（噴金、噴鉑。噴銀等）
3、其他可以滿足條件的鍍膜實驗。
特點：
1、成膜速率高。
2、基片溫度低，可以對溫度敏感的材料進行鍍膜。
3、可實現大面積鍍膜。
4、可調節濺射電流和真空室壓強以控制鍍膜的速率和顆粒的大小，顆粒大小約4-20nm。
5、SETPLASMA手動啟動按鈕可預先設置好壓強和濺射電流避免對膜造成不必要的損傷。
6、真空保護可避免真空過低造成設備短路。
7、同時可以通過換不同的靶材（金、鉑、銥、銀、銅等），以達到細顆粒的涂層。
8、通過通入不同的惰性氣體以達到純凈的涂層。
原理：
在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數，使等子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。
參數：
?主機規格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）
?靶（上部電極）：金：50mm×0.1mm（D×H）
?靶材：Au（標配）
?樣品室：玻璃腔體160mm×120mm（D×H）
?靶材尺寸：Ф50mm
?高真空度：≤ 4X10-2 mbar
?大電流：100mA
?定時器：數碼計時 0-999S
?鍍膜面積：50mm
?微型真空氣閥：可連接φ3mm軟管
?可通入氣體：多種
?高電壓：-1600 DCV
?機械泵：標準配置2L/S（國產VRD-8）
?冷卻方式：冷水機（可根據實驗具體要求自備）
?速率：0--60nm/min
用途：
1、適用于電鏡實驗室的掃描電子顯微鏡（SEM）觀察前對樣品的噴金、噴鉑。
2、非導體材料實驗電極制作（噴金、噴鉑。噴銀等）
3、其他可以滿足條件的鍍膜實驗。
特點：
1、成膜速率高。
2、基片溫度低，可以對溫度敏感的材料進行鍍膜。
3、可實現大面積鍍膜。
4、可調節濺射電流和真空室壓強以控制鍍膜的速率和顆粒的大小，顆粒大小約4-20nm。
5、SETPLASMA手動啟動按鈕可預先設置好壓強和濺射電流避免對膜造成不必要的損傷。
6、真空保護可避免真空過低造成設備短路。
7、同時可以通過換不同的靶材（金、鉑、銥、銀、銅等），以達到細顆粒的涂層。
8、通過通入不同的惰性氣體以達到純凈的涂層。磁控濺射儀磁控濺射儀磁控濺射儀磁控濺射儀
