詢價(jià)
- 價(jià)格：0
- 電阻溫度系數(shù)\/℃：±40ppm
- 同軸分流器本體直徑：10.5mm
- 信號(hào)輸出接口：BNC
- 固定螺母最大扭矩：0.5牛頓·米
高頻電流檢測(cè)方案及同軸分流器優(yōu)勢(shì)擴(kuò)寫
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高速迭代，SiC（碳化硅）與 GaN（氮化鎵）功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車、光伏逆變器、5G 基站電源等領(lǐng)域的應(yīng)用愈發(fā)廣泛。這一技術(shù)變革也對(duì)電流測(cè)量工具提出了更高要求 —— 工程師在研發(fā)、測(cè)試環(huán)節(jié)中，常常需要精準(zhǔn)捕捉頻率高達(dá)數(shù)百 kHz、電流峰值達(dá)數(shù)十安培的高速脈沖電流，而傳統(tǒng)測(cè)量設(shè)備的性能短板正逐漸凸顯，難以適配這一新興測(cè)試場(chǎng)景。以我司高頻交直流探頭 HCP8000 系列為例，這類傳統(tǒng)高頻電流探頭為實(shí)現(xiàn)信號(hào)屏蔽與磁場(chǎng)聚焦，普遍內(nèi)置鐵芯與多層屏蔽層。然而，在面對(duì)數(shù)百 kHz 的高頻電流時(shí)，這些結(jié)構(gòu)材料會(huì)成為性能瓶頸：鐵芯在高頻交變磁場(chǎng)作用下，會(huì)因磁滯效應(yīng)與渦流效應(yīng)產(chǎn)生大量損耗，同時(shí)屏蔽層也會(huì)因高頻感應(yīng)出現(xiàn)額外發(fā)熱現(xiàn)象（具體損耗與發(fā)熱程度可參考 HCP8000 系列說明書中的電流頻率減額使用曲線）。這種損耗與發(fā)熱不僅會(huì)導(dǎo)致測(cè)量精度下降，更可能在長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試或高電流沖擊下超出設(shè)備耐受極限，進(jìn)而引發(fā)探頭燒毀的故障，既影響測(cè)試進(jìn)度，也增加了設(shè)備維護(hù)成本，給工程師的工作帶來極大困擾。在這一背景下，同軸分流器憑借獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，成為高頻電流檢測(cè)領(lǐng)域的理想解決方案。與傳統(tǒng)探頭不同，同軸分流器采用純電阻結(jié)構(gòu)，核心部件僅由高精度電阻材料構(gòu)成，不含鐵芯、屏蔽層等易產(chǎn)生高頻損耗的元件。這一設(shè)計(jì)使其在高頻電流環(huán)境下展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)：由于不存在磁滯損耗與渦流損耗，也無屏蔽層感應(yīng)發(fā)熱問題，即便在數(shù)百 kHz 的高頻工況下，其自身損耗也不會(huì)隨頻率升高而增加，始終保持穩(wěn)定的電氣性能。這種 “零額外損耗” 的特性，不僅能確保高頻電流測(cè)量的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性，還能避免因發(fā)熱導(dǎo)致的設(shè)備損壞風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)無需像傳統(tǒng)探頭那樣頻繁根據(jù)頻率調(diào)整使用參數(shù)，大幅簡(jiǎn)化了操作流程，完美適配 SiC/GaN 功率器件帶來的高頻脈沖電流測(cè)試需求，為電力電子領(lǐng)域的高頻測(cè)試工作提供了可靠保障。同軸分流器同軸分流器
