| 品牌 | McBain | 型號 | DDR 300 Subsurface Defect |
| 測量范圍 | 900-1700nm | 測量 | 300mm |
| 外形尺寸 | 300（mm） | 用途 | 檢測硅晶體內部缺陷近紅外分析 |
近紅外的DDR200（200毫米）和DDR300近紅外（300毫米), 提供晶圓缺陷檢測和精密測量等部位。這些經濟的系統為生產和開發利用過程中的優勢，當兩個內部缺陷的檢測和尺寸測量是需的。提供一個的近紅外（900 - 1700nm）解決方案， 這些復員系統功能的自動化和半自動化光學和數字視頻工具，這是優化高，生產能力和一套大的易用性。自動化和通用平臺架構采用了的近紅外克勒外延照明以及可選的照明封裝。系統配置的系統上，的多軸平臺
應用
•對于進程，后處理和故障分析
•保稅晶圓對準
•芯片對準（倒裝芯片或雜交）
•內部缺陷的可視化，檢測，鑒定
•MEMS器件檢驗和計量
•三維堆疊工藝開發和控制
主要特點
•專為自動/半自動操作
•廣泛的缺陷檢測功能和能力
•集成的三維測量功能能夠穿透較厚的材料，更多的高摻雜的材料和粗糙舉辦的高表面比其它系統
•亞微米精密光學測量•，到20nm 線性編碼器分辨率
•分辨率900 - 1700nm 的 InGaAs 多晶片類數碼相機
•直線伺服電機分期
•50-50/測量/秒，每視野，典型
•容易使用，綱領，并設立/模具/件處理系統提供
•應用定制軟件
•合SEMI標準S2/S8
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