典型應用：E-Scan Refractometer為一精密過程控制儀表，其設計便于安裝在管道、儲罐、反應釜等容器上。
半導體工業(yè)型可用于CMP、AMP、濕刻、顯影、清洗和稀釋等工藝中的化學藥劑的濃度在線檢測。
通用型廣泛應用于化學工業(yè)、石油化學工業(yè)、輕紡工業(yè)、半導體及電子工業(yè)、鋼鐵工業(yè)、食品及制藥工業(yè)、工業(yè)等。被測介質舉例如下（不局限于以下舉例）：
??？、鹽酸、硝酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨、氯化鈉、溴化鋰等等。
？甲醇、乙醇、、已烷、、汽油、煤油等等。
？洗滌劑，是氟化物洗滌劑的取代品。
？排放，亦適用于其它各種液體和溶液。
E-Scan Refractometer 被設計用于實時濕用的化學品的濃度監(jiān)測硅晶片制造。E-Scan Refractometer 提供了一種連續(xù)測量信號（4-20mA或RS485），它提供實時監(jiān)控和許多的可能性過程控制。由于的數(shù)字測量原則上沒有信號漂移。
主要受益的實時監(jiān)控與 E-Scan Refractometer 的潛在收益增加晶片的形式吞吐量。確切的化學流取決于浴化學和序列，化學濃度，清洗時間和溫度。目的是為了與優(yōu)化的處理多個晶片化學量，并盡量減少設備停機在晶片的整個處理過程的時間。某些濕化學品需要一個單獨的處理系統(tǒng)。的廢物流通常是不適合于內部回收或再利用。因此，無論經濟和環(huán)境的可以節(jié)省化學廢物處理實現(xiàn)與優(yōu)化使用的化學品。
晶圓清洗
通過使用各種液體進行晶圓清洗從表面去除污染物的化學物質的硅晶片。常用的方法RCA清洗過程中，在那里RCA-1清潔，也稱為SC-1（標準干凈的1），是用于殘余物和微粒清除。RCA-2清除干凈，或SC-2（標準清潔2），金屬從晶片的污染物。攤薄HF和SPM除硅氧化物和屬物分別。E-Scan Refractometer 提供一種方法，用于監(jiān)測在使用點（POU）的化學品的混合和交付。
濕法刻蝕
用于化學濕蝕刻刪除圖層（金屬，硅，光致蝕劑）的表面的在制造過程中晶圓。腐蝕劑，侵蝕基板同樣在方向上，被稱為各向同性的?，F(xiàn)代化的進程更傾向于各向異性蝕刻，因為它們產生尖銳，以及控制功能。
幾個各向異性的濕蝕刻劑可用于硅。例如，氫氧化鉀（KOH）和四甲基氫氧化銨（TMAH）通常用于此目的。
的KOH浴中硅的刻蝕速率取決于浴溫度和KOH濃度。
硅的刻蝕速率是一個函數(shù)的KOH濃度和浴溫。由于蝕刻的進展，一些KOH（即OH-離子）是過程中所消耗。E-Scan Refractometer提供了一個KOH濃度的指示，并有助于確定正確的腐蝕終點。這種方式的bathlife可以增加，和晶圓廢料和化學廢物小化。
折射率給出了一個總的指示的溶解固體。使用硅的蝕刻KOH水混合形成了一個三級的解決方案，溶解硅。硅酸鹽的影響，需要從KOH濃度要補償閱讀。E-Scan Refractometer 提供了一種方法（這折射儀補償申請中）輸出讀數(shù)。補償因子可以在控制系統(tǒng)中實施的。同樣的現(xiàn)象被認為是在氮化硅的蝕刻熱法磷酸蝕刻后硅片清洗蝕刻后的晶片清洗的目的是從晶片除去殘渣。蝕刻后清洗通常是通過胺（例如羥胺），氟化物或第四紀（例如NMP）中基于化學品。
E-Scan Refractometer 測量濃度的蝕刻后的清潔劑，例如聚合物如EKC的清除。這提供了一個實時浴壽命的指示，這有助于晶片的產量和實現(xiàn)化學品的消耗顯著節(jié)省。
化學機械平坦化
為了使晶片表面平滑后金屬沉積，稱為化學的方法使用磨料的CMP除去施加機械平坦化（CMP）的過度金屬
泥漿，它通常含有二氧化硅或氧化鋁顆粒和一個移動的拋光墊。體積分配和混合方法是要的因為大量的漿料，這是需要在大批量制造工廠。
通常情況下，CMP制程使用過氧化氫（H2O2）作為氧化劑泥漿。氫過氧化氫，在漿料中作為氧化劑使用，需要
現(xiàn)場混合，因為它有一個短的適用期，未穩(wěn)定長的時間允許運輸。緊控制時，過氧化氫的混合混合物是很重要的，因為太多的它可以導致晶片污染。
E-Scan Refractometer 提供了一個實時過氧化氫濃度監(jiān)測方法CMP研磨漿的的POU混合的。
半導體工業(yè)型可用于CMP、AMP、濕刻、顯影、清洗和稀釋等工藝中的化學藥劑的濃度在線檢測。
通用型廣泛應用于化學工業(yè)、石油化學工業(yè)、輕紡工業(yè)、半導體及電子工業(yè)、鋼鐵工業(yè)、食品及制藥工業(yè)、工業(yè)等。被測介質舉例如下（不局限于以下舉例）：
??？、鹽酸、硝酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨、氯化鈉、溴化鋰等等。
？甲醇、乙醇、、已烷、、汽油、煤油等等。
？洗滌劑，是氟化物洗滌劑的取代品。
？排放，亦適用于其它各種液體和溶液。
E-Scan Refractometer 被設計用于實時濕用的化學品的濃度監(jiān)測硅晶片制造。E-Scan Refractometer 提供了一種連續(xù)測量信號（4-20mA或RS485），它提供實時監(jiān)控和許多的可能性過程控制。由于的數(shù)字測量原則上沒有信號漂移。
主要受益的實時監(jiān)控與 E-Scan Refractometer 的潛在收益增加晶片的形式吞吐量。確切的化學流取決于浴化學和序列，化學濃度，清洗時間和溫度。目的是為了與優(yōu)化的處理多個晶片化學量，并盡量減少設備停機在晶片的整個處理過程的時間。某些濕化學品需要一個單獨的處理系統(tǒng)。的廢物流通常是不適合于內部回收或再利用。因此，無論經濟和環(huán)境的可以節(jié)省化學廢物處理實現(xiàn)與優(yōu)化使用的化學品。
晶圓清洗
通過使用各種液體進行晶圓清洗從表面去除污染物的化學物質的硅晶片。常用的方法RCA清洗過程中，在那里RCA-1清潔，也稱為SC-1（標準干凈的1），是用于殘余物和微粒清除。RCA-2清除干凈，或SC-2（標準清潔2），金屬從晶片的污染物。攤薄HF和SPM除硅氧化物和屬物分別。E-Scan Refractometer 提供一種方法，用于監(jiān)測在使用點（POU）的化學品的混合和交付。
濕法刻蝕
用于化學濕蝕刻刪除圖層（金屬，硅，光致蝕劑）的表面的在制造過程中晶圓。腐蝕劑，侵蝕基板同樣在方向上，被稱為各向同性的?，F(xiàn)代化的進程更傾向于各向異性蝕刻，因為它們產生尖銳，以及控制功能。
幾個各向異性的濕蝕刻劑可用于硅。例如，氫氧化鉀（KOH）和四甲基氫氧化銨（TMAH）通常用于此目的。
的KOH浴中硅的刻蝕速率取決于浴溫度和KOH濃度。
硅的刻蝕速率是一個函數(shù)的KOH濃度和浴溫。由于蝕刻的進展，一些KOH（即OH-離子）是過程中所消耗。E-Scan Refractometer提供了一個KOH濃度的指示，并有助于確定正確的腐蝕終點。這種方式的bathlife可以增加，和晶圓廢料和化學廢物小化。
折射率給出了一個總的指示的溶解固體。使用硅的蝕刻KOH水混合形成了一個三級的解決方案，溶解硅。硅酸鹽的影響，需要從KOH濃度要補償閱讀。E-Scan Refractometer 提供了一種方法（這折射儀補償申請中）輸出讀數(shù)。補償因子可以在控制系統(tǒng)中實施的。同樣的現(xiàn)象被認為是在氮化硅的蝕刻熱法磷酸蝕刻后硅片清洗蝕刻后的晶片清洗的目的是從晶片除去殘渣。蝕刻后清洗通常是通過胺（例如羥胺），氟化物或第四紀（例如NMP）中基于化學品。
E-Scan Refractometer 測量濃度的蝕刻后的清潔劑，例如聚合物如EKC的清除。這提供了一個實時浴壽命的指示，這有助于晶片的產量和實現(xiàn)化學品的消耗顯著節(jié)省。
化學機械平坦化
為了使晶片表面平滑后金屬沉積，稱為化學的方法使用磨料的CMP除去施加機械平坦化（CMP）的過度金屬
泥漿，它通常含有二氧化硅或氧化鋁顆粒和一個移動的拋光墊。體積分配和混合方法是要的因為大量的漿料，這是需要在大批量制造工廠。
通常情況下，CMP制程使用過氧化氫（H2O2）作為氧化劑泥漿。氫過氧化氫，在漿料中作為氧化劑使用，需要
現(xiàn)場混合，因為它有一個短的適用期，未穩(wěn)定長的時間允許運輸。緊控制時，過氧化氫的混合混合物是很重要的，因為太多的它可以導致晶片污染。
E-Scan Refractometer 提供了一個實時過氧化氫濃度監(jiān)測方法CMP研磨漿的的POU混合的。
