特點和優(yōu)勢：
　　（1）不受背景氣體的影響
　?。?）不受粉塵與視窗污染的影響
　?。?）自動修正溫度，壓力對測量的影響產(chǎn)品詳細信息激光分析儀產(chǎn)品介紹
　　
　　一、半導(dǎo)體激光光譜吸收技術(shù)基本原理
　　
　　半導(dǎo)體激光光譜吸收技術(shù)（diode laser absorption spectroscopy，DLAS）早于20世紀(jì)70年代提出。初期的DLAS技術(shù)只是一種實驗室研究用技術(shù)，隨著半導(dǎo)體激光技術(shù)在20世紀(jì)80年代的發(fā)展，DLAS技術(shù)開始被推廣應(yīng)用于大氣研究、環(huán)境監(jiān)測、診斷和航空航天等領(lǐng)域。是20世紀(jì)90年代以來，基于DLAS技術(shù)的現(xiàn)場在線分析儀表已逐漸發(fā)展成為熟，與非色散紅外、電化學(xué)、色譜等傳統(tǒng)工業(yè)過程分析儀表相比，具有可以實現(xiàn)現(xiàn)場原位測量、無需采樣和預(yù)處理系統(tǒng)、測量準(zhǔn)確、響應(yīng)、維護工作量小等顯著優(yōu)勢，在工業(yè)過程分析和污染源監(jiān)測領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。
　　
　　1.朗伯-比爾定律
　　
　　DLAS技術(shù)本質(zhì)上是一種光譜吸收技術(shù)，通過分析激光被氣體的選擇性吸收來獲得氣體的濃度。它與傳統(tǒng)紅外光譜吸收技術(shù)的不同之處在于，半導(dǎo)體激光光譜寬度遠小于氣體吸收譜線的展寬。因此，DLAS技術(shù)是一種高分辨率的光譜吸收技術(shù)，半導(dǎo)體激光穿過被測氣體的光強衰減可用朗伯-比爾（Lambert-Beer）定律表述
　　
　　式中，IV，0和IV 分別表示頻率V的激光入射時和經(jīng)過壓力P，濃度X和光程L的氣體后的光強；S（T）表示氣體吸收譜線的強度；線性函數(shù)g（v-v0）表征該吸收譜線的形狀。通常情況下氣體的吸收較小，可用式（4-2）來近似表達氣體的吸收。這些關(guān)系式表明氣體濃度越高，對光的衰減也越大。因此，可通過測量氣體對激光的衰減來測量氣體的濃度。
　　
　　2.光譜線的線強
　　
　　氣體分子的吸收總是和分子內(nèi)部從態(tài)到態(tài)的能級躍遷相聯(lián)系的。線強S（T）反映了躍遷過程中受激吸收、受激輻射和自發(fā)輻射之間強度的凈效果，是吸收光譜譜線基本的屬性，由能級間躍遷概率經(jīng)及處于上下能級的分子數(shù)目決定。分子在不同能級之間的分布受溫度的影響，因此光譜線的線強也與溫度相關(guān)。如果知道參考線強S（T0），其他溫度下的線強可以由下式求出式中，Q（T）為分子的配分函數(shù)；h為普朗克常數(shù)；c為；k為波爾茲曼常數(shù)；En為下能級能量。各種氣體的吸收譜線的線強S（T0）可以查閱相關(guān)的光譜數(shù)據(jù)庫。
　　
　　JNYQ-G-8X為系列產(chǎn)品，根據(jù)應(yīng)用要求不同，主要有以下幾種組態(tài)型號：
　　JNYQ-G-81（原位型）
　　激光原位測量，響應(yīng)速度快，測量高
　　集成式正壓爆設(shè)計，
　　模塊化設(shè)計，可現(xiàn)場更換功能模塊，維護方便
　　智能化程度高、操作方便
　　JNYQ-G-82（旁路型）
　　激光旁路測量，測量高，干擾能力強
　　光學(xué)非接觸測量，可直接測量高溫、強腐蝕性氣體
　　旁路處理裝置簡單、，可直接安裝在過程管道處
　　全系統(tǒng)爆，支持氣體溫度、壓力自動補償
　　JNYQ-G-83（分布型）
　　分布式激光測量，支持八個測量通道，比
　　測量通道激光測量模塊，性高
　　網(wǎng)絡(luò)化集中顯示和控制，監(jiān)控方便