氮化鋁底板，第三代晶閘管模塊，性能優且穩，國際。
　　
　　一、特點
　　單向導電性指標，“漏電流”只及標準的1／200且長期穩定。
　　DBC底板使模塊工作壽命指標，承受冷熱沖擊次數至少高過標準10倍（氧化鋁DBC底板為5倍）。
　　散熱能力強，同等條件溫升，避免快速熱老化擊穿。
　　浪涌電流為額定值的19〜42倍（標準16倍）。
　　電壓臨界上升率高DV／dt≥1000V／μs，不易誤觸發。
　　額定電流3〜4倍（標準為1倍）時，管壓降只有1.2〜1.7V.
　　配上瞬態衰減器，可承受4KV脈沖群、浪涌過電壓，避免快速電老化擊穿，耐壓無須過1600V.
　　它以前太貴，工藝新使工業級產品的價格降到與國產可控硅模塊差不多，便于普及應用。
　　
　　二、電連接
　　模塊內含有二個晶閘管芯；通用電連接型式，代號為C.1、2、3為功率端，配有不銹鋼螺釘，可作為一個整流臂，用于直流電路；也可把2、3短接成一個端，1為另一端，構成“反并聯”連接，用于交流電路。5、6端分別為對應的晶閘管的門控制端，可用電線錫焊后引出。
　　
　　三、主要應用
　　整流器、充電器、變流器、無功補償節電器、交流調壓器、固態開關等。
　　
　　四、模塊底板
　　市面上的晶閘管模塊大多數是代產品，3mm厚的銅底板沉甸甸的。銅板、陶瓷層、硅芯片三層材料熱膨脹系數相差很大，冷熱沖擊使層間開裂損壞，屬淘汰產品。
　　
　　第二代晶閘管模塊采用氧化鋁DBC（Dire Bonding Copper）底板，由0.3mm薄銅皮與氧化鋁（白色）鍵合成一體開裂，見圖2.但是氧化鋁的熱膨脹系數與硅芯片相差還不夠小，二者之間還會微裂。
　　
　　第三代晶閘管模塊采用DBC底板，由0.3mm薄銅皮與陶瓷層（白色）鍵合而成一體開裂。而且陶瓷層與硅芯片的熱膨脹系數相接近，也不易開裂。福建省電子產品監督檢測所測試證實：產品耐用性指標“承受冷熱循環次數”／T7826-1995（即IEC T7）標準的10。模塊“工作壽命”難題才得到滿意解決。目前國際上只有個別廠家能生產（第三代）長命晶閘管模塊。

其他說明

參數見下表.                                                                參數 型 號 MTC27-16CM                                                          MT9-16CM MTC60-16CM MTC116-16CM MTC130-16CM MTC250-16CM MTC320-16CM MTC500-16CM 電流 平均Iavm 27 A 49 A 60 A 116 A 130 A 250 A 320 A 500A Irms 50 A 80 A 100 A 180 A 300 A 400 A 500 A 785A 浪涌電流倍數I/Iavm    19倍 23倍 25倍 19倍 42倍 34倍 29倍 30倍 I 2 t,    K*A 2 S 1.35 6.6 11.2 25.3 151 360 420 1125 門功率Pgm 10 W 120 W 漏電流Irrm 3 mA 5 mA 10 mA 40 mA 當It=? 時 正向管壓降Vt 80A 1.64V 200A 1.75V 200A 1.57V 300A 1.50V 300A 1.36 600A 1.36 600A 1.32V 1200A 1.3 門 電壓 Vto 0.85 0.85 0.85   0.80 0.80 0.85 0.80 0.80 反向                                          峰值  Vrgm= 10V 門 觸發 電壓 Vgt=1.5 V 2.5V 2V 2V 2V 電流 Igt=100 mA 150 mA 150 mA 150 mA 300mA 挈住電流Il 450 mA 300 mA 200 mA 200 mA 400mA 維持電流Ih 200 mA 200 mA 150 mA 150 mA 300mA 關斷時間Tq 150μ S 150μ S 150μ S 150μ S 200μ S 200μ S 350μ