世界原位薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)，又名原位薄膜應(yīng)力計(jì)或原位薄膜應(yīng)力儀！MOS美國(guó)技術(shù)！曾榮獲2008　Innovation　of　the　Year　Awardee！　
　　
　　技術(shù)參數(shù)　
　　1、掃描分辨率：2μm；　
　　2、平均曲率分辨率：＜2e-5（1／m）1-sigma（50km　radius）1-sigma；
　　3、平均翹曲測(cè)量重復(fù)性：＜5e-6（radians）1-sigma；　
　　4、平均曲率重復(fù)性：＜2×10-5　1／m（1sigma）
　　
　　主要特點(diǎn)
　　1、程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、積掃描；　
　　2、實(shí)時(shí)原位成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力成像分析；　
　　3、實(shí)時(shí)原位測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力和翹曲等；
　　4、支持裝在各種真空沉積設(shè)備或表面處理設(shè)備上（如：E，MOCVD，sputtering，PLD，PECVD，and　annealing　chaers　ects）。
　　
　　采用非接觸激光MOS技術(shù)；不但可以的對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；　　
　　
　　該設(shè)備已經(jīng)廣泛被高等學(xué)府（如：Harvard　University　2套，Stanford　University，Johns　Hopkins　University，Brown　University　2套，Karlsruhe　Research　Center，Max　Planck　Institute，西安交通大學(xué)等）、半導(dǎo)體制和微電子造商（如IBM。，Seagate　Research　Center，Phillips　Semiconductor，NEC，Nissan　ARC，Nichia　Gl　Corporation）等所采用；　
　　
　　相關(guān)產(chǎn)品：　
　　
　　薄膜應(yīng)力儀（薄膜應(yīng)力測(cè)量?jī)x）：為測(cè)量系統(tǒng)，同樣采用的MOS技術(shù)，詳細(xì)信息請(qǐng)與我們聯(lián)系。