YB6600半導(dǎo)體曲線跟蹤儀用于研究所、院校、企業(yè)、電子產(chǎn)品廠家等測(cè)試半導(dǎo)體分立器件的直流參數(shù)，繪制曲線進(jìn)行分析。
　　YB6600半導(dǎo)體曲線跟蹤儀測(cè)試方法合以下國(guó)際/標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)規(guī)范要求：
　　《JJF　1236-2010半導(dǎo)體管圖示儀校準(zhǔn)規(guī)范》和《G　128A-1997半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》一、測(cè)試指標(biāo)
　　A-K　間加壓范圍：±2.500mV--2000V
　　A-K　間測(cè)流范圍：±100pA--49.90A
　　A-K　間加流范圍：±100nA--49.90A
　　A-K　間測(cè)壓范圍：±2.500mV--2000V
　　G-K　間加壓范圍：±2.500mV--20V
　　G-K　間測(cè)流范圍：±100pA--10A
　　G-K　間加流范圍：±100nA--10A
　　G-K　間測(cè)壓范圍：±2.500mV--20V
　　A-K　間加/測(cè)壓：1%＋10mV
　　A-K　間加/測(cè)流：1%＋10nA＋20pA/V
　　G-K　間加/測(cè)壓：1%＋5mV
　　G-K　間加/測(cè)流：1%＋10nA＋20pA/V
　　電參數(shù)測(cè)試重復(fù)性：2%
　　電壓分辨率：1mV
　　電流分辨率：1nA
　　二、可實(shí)現(xiàn)的曲線
　　1、Mosfet（N-Channel＆P-Channel）（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）
　　ID　vs　VDS（在VGS范圍內(nèi)）
　　ID　vs　VGS（在一個(gè)固定的ID）
　　IS　vs　VSD
　　RDS　vs　VGS（在一個(gè)固定的VDS）
　　RDS　vs　ID（在VGS范圍內(nèi)）
　　2、Transisitor（晶體管）
　　HFE　vs　IC
　　BVCE（O.S.R.V）vs　IC
　　BVEBO　vs　IE
　　BVCBO　vs　IC
　　VCE（SAT）（在的IC/IB比率）
　　VCE（SAT）vs　IB（在IC的范圍內(nèi)）
　　VBE（SAT）vs　IB（在的IC/IB比率）
　　VBE（ON）vs　IC（在的VCE）
　　3、IGBT（N-Channel＆P-Channel）（緣柵雙晶體管）
　　IC　vs　VCE（在VGE范圍內(nèi)）
　　IC　vs　VGE（在的VCE）
　　IC　vs　VCE
　　IF　vs　VF
　　4、DIODE（二管）
　　IF　vs　VF
　　IR　vs　VR
　　5、ZENER（穩(wěn)壓管）
　　IF　vs　VF
　　IR　vs　VR
　　6、TRIAC（雙向可控硅）
　　IT　vs　VT（＋/-）（在一個(gè)固定的IG）
　　7、SCR（單項(xiàng)可控硅）
　　IT　vs　VTM（在一個(gè)固定的IG）
　　8、SSVOP（固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器）
　　IT　vs　VT（＋/-）（在一個(gè)固定的IBO）
　　9、SIDAC（高壓觸發(fā)二管）
　　IT　vs　VT（＋/-）（在一個(gè)固定的IBO）
　　10、DIAC（雙向觸發(fā)二管）
　　ID　vs　VF（＋/-）
　　11、REGULATOR（穩(wěn)壓器）
　　Electronic　Load　vs　V　OUT（在一個(gè)固定電流）
　　12、J-FET（（N-Channel＆P-Channel））（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
　　ID（OFF）vs　VDS（在VGS范圍內(nèi)）
　　ID（OFF）vs　VGS（在一個(gè)固定的VDS）
　　ID（ON）vs　VDS（在VGS范圍內(nèi)）
　　ID（ON）vs　VGS（在一個(gè)固定的VDS）
　　13、Curve　Tracer　Mode　Only（曲線跟蹤模式）
　　IC　vs　VCE（在一個(gè)固定的IB）