IRF7413 概述

　　IR的第五代HEXFET功率場效應(yīng)管IRF7413采用的工藝技術(shù)制造，具有低的導通阻。IRF7413這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅固耐用著稱的HEXFET設(shè)計，使得IRF7413成為其、應(yīng)用范圍廣的器件。
　　IRF7413的SO-8封裝經(jīng)過用戶化的引腳框架改良，增強了熱工特性和復合模性能，使IRF7413成為多種電力應(yīng)用的理想選擇。通過諸如此類的改良，在同一應(yīng)用中可同時使用多個IRF7413器件，且大節(jié)省了電路板空間。IRF7413的SO-8封裝專為氣相、紅外、或波動焊接技術(shù)而設(shè)計，在典型的PCB安裝應(yīng)用中，功耗將可能過0.8W。

IRF7413 參數(shù) IRF7413 基本參數(shù) VDSS   30 V ID@25℃   13 A RDS(on)Max   11 mΩ IRF7413 其他特性 FET性   N型溝道 Qg T   44.0 nC IRF7413 封裝與引腳 SO-8

IRF7413 特性

• 第五藝
• 導通阻
• N型溝道 Mosfet
• 貼片安裝
• 可選卷帶裝
• 動態(tài)dv/dt率
• 快速轉(zhuǎn)換速率
• 的雪崩性能
• 100% R_G測試
• 無鉛