東芝場效應晶體管硅N溝道MOS型（-MOSIV）2SK3565開關穩壓器應用

低漏源導通電阻：RDS（ON）= 2.0

?高正向轉移導納（典型值）：| YFS | = 4.5 S（典型值）

?低漏電流：IDSS = 100 A（VDS = 720 V）

?增強模式：Vth的= 2.0?4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）的

額定值（Ta = 25°C）

東芝2SK3565特性號額定值單位

漏源電壓VDSS 900 V漏 - 柵電壓（RGS = 20kΩ的）VDGR 900 V柵源電壓VGSS±30 V DC（注1）ID 5漏電流脈沖（T = 1毫秒）（注1）IDP 15疏功耗（TC = 25°C）PD 45 W單脈沖雪崩能量（注2）EAS 595兆焦耳雪崩電流IAR 5 A重復雪崩能量（注3）EAR 4.5兆焦耳溝道溫度Tch 150°C保存溫度Tstg -55?150℃