北京飛凱曼科技有限公司提供匈牙利Semilab公司WT-2000型、WT-1200A、WT-1200B型、WT-1000型少子壽命測試儀、DLS-83D深能級瞬態譜儀、SE-2000全光譜橢偏儀、擴展電阻測試儀、汞CV測試儀、非接觸式霍爾效應測試儀、原子力顯微鏡、掃描探針顯微鏡、納米壓痕測試儀等。
少子壽命測試儀主要應用于半導體/光電/光伏材料（單晶/多晶硅片及硅錠）的工藝控制及測試手段。通過測量少子壽命，可做出晶體生長及工藝過程引入的缺陷圖及硅片中的Fe元素污染圖。儀器主要功能有微波光電導衰減法測少子壽命，光誘導電流測試，無接觸方塊電阻測試，渦流場體電阻率測試，Fe元素含量測試。
WT-2000型少子壽命測試儀主要技術指標:
1. 微波光電導衰減法測少子壽命:
1.1 壽命測試范圍：0.1 us – 30 ms
1.2 測試分辨率：0.1%
1.3掃描分辨率：0.5,1,2,4,8,16mm
1.4 樣品的電阻率范圍：0.1 – 1000 ΩCM
1.5 測試光點直徑：1mm
1.6 測試速度：30ms/數據點
1.7 測試點數：過360000
1.8激光源波長：904nm
1.9光源脈沖寬度：200ns,fall time 10ns
2. 光誘導電流測試
2.1 掃描區域：210 ? 210 mm
2.2 測試電流范圍：1 uA – 1mA
2.3 光源波長：403，880，950，980 nm
2.4 選加功能：硅片，電池的上述激光波長反射率掃描，電池的IQE，EQE掃描
2.5 通過兩個以上的激光器，可以計算少數載流子的擴散長度
3. 方塊電阻測試:
無接觸方塊電阻測試功能，以取代傳統的四探針
3.1 可測試樣品：np or pn structure
3.2 測試范圍：10 Ω/sq to 1000Ω/sq
3.3 測試分辨率：2%
3.4 掃描分辨率：10mm
3.5 測試：< 3%
3.6 測試重復性：< 1%
4. 體電阻率掃描:
渦流場測試，無接觸，傷測試
4.1 測試范圍：0.5 – 20 ΩCM
4.2 測試： 3-6 %
4.3 測試重復性： 2%
4.4 探頭直徑：5 mm
5. p型硅樣品，范圍：Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3
詳細技術參數請咨詢我們。
少子壽命是描述半導體 材料特征方程的基本參數之一,對器件特性的描述起著重要作用,是對以PN結為基本結構的器件,額外載流子的產生與復合在PN結的狀態轉換過程中起著決定性的作用,因而少子壽命是決定PN結型器件工作特性的關鍵材料參數之一。
太陽電池的轉換效率主要依賴于基區的少子壽命.少子壽命越長光照產生的過剩載流子越可能到達PN結,受PN結電場分離后對外產生光電流,同樣由于暗電流的降低可增加太陽電池的開路電壓,所以大部分生產商都在生產前檢驗原始材料的一些關鍵性參數,光伏工業生產中常見的測試就是少子壽命的測試,通過對原始材料的壽命測量預測成品太陽電池的效率。
少子壽命測試儀采用微波光電導衰減法（ASTM國際標準-1535）的測試原理，提供、快速、無接觸、傷的少數載流子壽命的測試，主要是通過904nm波長的激光激發出硅片,硅棒或硅錠體內的非平衡載流子，再通過微波反射的探測手段來測試少數載流子引起的電導率的變化，從而判斷該硅片,硅棒或硅錠的缺陷、沾污情況。該設備主要應用于硅棒，硅片的出廠、進廠檢查，生產工藝過程的沾污檢測等。是在太陽能領域，少子壽命將直接關系到成品電池的效率，是備的檢測手段。
少子壽命測量儀可測量半導體的少子壽命。少子壽命值反映了太陽電池表面和基體對光生載流子的復合程度，即反映了光生載流子的利用程度。少子壽命是半導體晶體硅材料的一項關鍵性參數，它對晶體硅太陽能電池的光電轉換效率有重要的影響，可以說硅電池的轉化效率和少子壽命成正向相關對應關系。
少子壽命測量儀采用微波光電導衰減法（SEMI國際標準-1535）的測試原理，即通過激光激發出硅體內的非平衡載流子，再通過微波反射的探測手段來測試少數載流子引起的電導率的變化，從而計算出少子壽命值，為半導體提供、快速、無接觸、傷的少數載流子壽命的測試。該儀器測量少子壽命的ns級，分辨率達1%，測試結果準確性好、重復性高，完滿足太陽能級硅電池的少子壽命測試。目前該方法是受市場接受的少子壽命測試方法。
主要特點：
適應低電阻率樣片的測試需要，小樣品電阻率可達0.1ohmcm
全自動操作及數據處理
對太陽能級硅片，測試前一般不需鈍化處理
能夠測試單晶或多晶硅棒、片或硅錠
可以選擇測試樣品上任意位置
能提供的表面化學鈍化處理方法
對各道工序的樣品均可進行質量監控：
硅棒、切片的出廠、進廠檢查
擴散后的硅片
表面鍍膜后的硅片以及成品電池
性能指標：
測試材料： 硅、鍺等
樣片電阻率范圍： 0.1 - 1000Wcm
激光波長： 904nm
光斑直徑： 10mm2
微波源： 可調頻率10.3GHz
少子壽命測試范圍： 100ns - 20ms
測試分辯率： 0.1%
測試時間： 30ms/數據點
可以提供單點或連續測試
主要應用：
材料的質量控制
硅片、棒的出廠、進廠檢查
硅片的屬沾污測試
工藝過程質量控制
生產過程中的硅片質量監測
氮化物鍍膜
金屬化
磷擴散
