—用途—
SAIS型沖擊試驗(yàn)臺(tái)可供試驗(yàn)產(chǎn)品做沖擊試驗(yàn)，主要提供給小型試件作較高沖擊加速度試驗(yàn)用。考核試品承受沖壞的程度。常應(yīng)用于電子元器件，電子線路板等環(huán)境試驗(yàn)，本試驗(yàn)設(shè)備合《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)范Ea：沖擊試驗(yàn)方法》及《IEC68-2-27，試驗(yàn)Ea：沖擊》和《MIF-STD202F》
規(guī)范對(duì)沖擊試驗(yàn)的要求。
—性能，特點(diǎn)—
SAIS型沖擊試驗(yàn)臺(tái)面尺寸較小，臺(tái)面結(jié)構(gòu)經(jīng)過有限元優(yōu)化分析后精心設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)強(qiáng)度大，頻率響應(yīng)高，通過高加速度沖擊試驗(yàn)，能0。3ms的加速度持續(xù)時(shí)間，沖擊半正弦波形合試驗(yàn)規(guī)范。
內(nèi)置二次沖擊裝置，臺(tái)體配置減振裝置，沖擊高度數(shù)字設(shè)定，自 動(dòng)執(zhí)行。
SAIS型沖擊試驗(yàn)臺(tái)可供試驗(yàn)產(chǎn)品做沖擊試驗(yàn)，主要提供給小型試件作較高沖擊加速度試驗(yàn)用。考核試品承受沖壞的程度。常應(yīng)用于電子元器件，電子線路板等環(huán)境試驗(yàn)，本試驗(yàn)設(shè)備合《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)范Ea：沖擊試驗(yàn)方法》及《IEC68-2-27，試驗(yàn)Ea：沖擊》和《MIF-STD202F》
規(guī)范對(duì)沖擊試驗(yàn)的要求。
—性能，特點(diǎn)—
SAIS型沖擊試驗(yàn)臺(tái)面尺寸較小，臺(tái)面結(jié)構(gòu)經(jīng)過有限元優(yōu)化分析后精心設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)強(qiáng)度大，頻率響應(yīng)高，通過高加速度沖擊試驗(yàn)，能0。3ms的加速度持續(xù)時(shí)間，沖擊半正弦波形合試驗(yàn)規(guī)范。
內(nèi)置二次沖擊裝置，臺(tái)體配置減振裝置，沖擊高度數(shù)字設(shè)定，自 動(dòng)執(zhí)行。
