一、用途：保密。
　　二、技術(shù)指標(biāo)：
　　1.蒸鍍室限真空度：5×10-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7PaL/S；壓升率：停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度小于等于5Pa；
　　2.真空腔從大氣到2×10-a時(shí)間小于3 0分鐘；
　　3.泄漏小于1×10-7PaL/S；
　　4.熱蒸發(fā)裝置為兩個(gè)蒸發(fā)舟，含加熱和控溫裝置，控溫要求：&plun;1℃程序可控；
　　5.公轉(zhuǎn)架轉(zhuǎn)速（即換位轉(zhuǎn)速）在0～30轉(zhuǎn)/分鐘，自轉(zhuǎn)架轉(zhuǎn)速在0-60轉(zhuǎn)/分鐘之間程序可調(diào)；
　　6.在腔體內(nèi)的工件架須樣品的法線方向與鉛垂直方向的夾角在15°～45°之間連續(xù)可調(diào)，在調(diào)節(jié)桿上作出角度調(diào)節(jié)標(biāo)記，以方便調(diào)節(jié)；
　　7.工件架上的樣品基片可以通過紅外燈進(jìn)行加熱，加熱溫度從室溫到200℃程序可調(diào)可控；
　　8.基片架中心和蒸發(fā)源之間的距離的調(diào)節(jié)范圍為200～300 mm；在調(diào)節(jié)桿上標(biāo)注出蒸發(fā)源口離樣品中心的垂直距離。
　　三、主要組成：
　　該蒸鍍設(shè)備主要由真空抽氣及真空測量系統(tǒng)、真空室系統(tǒng)、工件架系統(tǒng)、熱蒸發(fā)源系統(tǒng)、E型電子及控制電源系統(tǒng)、膜厚測試系統(tǒng)、擋板系統(tǒng)、烘烤照明系統(tǒng)、水冷卻循環(huán)及報(bào)警系統(tǒng)、電控及計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、臺(tái)架系統(tǒng)、輔助系統(tǒng)等組成。