一、 系統用途：
設備主要制備單層膜、多層膜和多組份的金屬膜、合金膜、氧化物薄膜等。
二、技術指標：
1、采用雙室結構：一個主濺射室（濺射鍍膜室）；一個為樣品室（樣品取放）；
2、濺射室限真空度：6.7×10-5Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；
進樣室限真空度：6.7×10-4Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；
3.臺的加溫溫度為500℃，程序控溫；升溫、恒溫、降溫時間可控（降溫速率小于自然降溫速率）；
4.現自轉，轉速為：0～50轉/分；
5.樣品臺可實現升降，手動調節，升降距離為：&plun;10mm；
6.系統限真空度為：6.7×10-5Pa；
7.靶基距：靶表面與樣品垂直距離為170mm&plun;20mm，用光軸加直線軸承導向，可手動連續調節，有刻度指示。
三、系統組成：
本系統為兩室結構的真空控濺射鍍膜設備，主要由真空抽氣及測量系統、濺射室系統、靶及電源系統、樣品臺系統、樣品室系統、樣品交接與傳遞系統、氣路系統、電控及計算機控制功能、輔助系統等組成。
設備主要制備單層膜、多層膜和多組份的金屬膜、合金膜、氧化物薄膜等。
二、技術指標：
1、采用雙室結構：一個主濺射室（濺射鍍膜室）；一個為樣品室（樣品取放）；
2、濺射室限真空度：6.7×10-5Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；
進樣室限真空度：6.7×10-4Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；
3.臺的加溫溫度為500℃，程序控溫；升溫、恒溫、降溫時間可控（降溫速率小于自然降溫速率）；
4.現自轉，轉速為：0～50轉/分；
5.樣品臺可實現升降，手動調節，升降距離為：&plun;10mm；
6.系統限真空度為：6.7×10-5Pa；
7.靶基距：靶表面與樣品垂直距離為170mm&plun;20mm，用光軸加直線軸承導向，可手動連續調節，有刻度指示。
三、系統組成：
本系統為兩室結構的真空控濺射鍍膜設備，主要由真空抽氣及測量系統、濺射室系統、靶及電源系統、樣品臺系統、樣品室系統、樣品交接與傳遞系統、氣路系統、電控及計算機控制功能、輔助系統等組成。
